SI1072X-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI1072X-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI1072X-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 1.3A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: - Drain Source Voltage Vds: 30V Drain To Source Voltage (vdss): 30V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V ID_COMPONENTS: 2663580 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 280pF @ 15V Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 129mohm Package / Case: * Power - Max: 236mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.3A, 10V Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V Series: TrenchFET?® Threshold Voltage Vgs Typ: 3V Transistor Polarity: N Channel Vgs(th) (max) @ Id: 3V @ 250?µA
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI1072X-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 130,43 KB